dr Katarzyna Lament

Telefon: (71) 375 9459
Login: lament
E-mail: login@ifd.uni.wroc.pl

Doktorat:

Data: Paź 24, 2017
Temat: Wzrost i właściwości ultracienkich warstw PTCDI-C8 na powierzchniach Si i GaN
Osoba: mgr Katarzyna Lament
Promotor: prof. dr hab. Antoni Ciszewski, dr Wojciech Kamiński

Publikacje
  • Katarzyna Lament, Miłosz Grodzicki, Piotr Mazur, Agata Sabik, Rafał Lewandków, Antoni Ciszewski ,Interactions between PTCDI-C8 and Si(100) Surface,Crystals 13 (2023) 441, 1-8
  • P. Mazur, J. Sito, M. Grodzicki, K. Lament, M. Crofton, A. Ciszewski ,Influence of ionic interfacial layers on electronic properties of Alq3/Si(100) interface,Surface and Interface Analysis 50 (2018) 623–627
  • J. Sito, M. Grodzicki, K. Lament, R. Wasielewski, P. Mazur, A. Ciszewski,Electronic Properties of Structures Containing Films of Alq3 and LiBr Deposited on Si(111) Crystal,Acta Physica Polonica A 132(2) (2017) 357-359
  • R. Wasielewski, M. Grodzicki, J. Sito, K. Lament, P. Mazur, A. Ciszewski ,Ru/GaN(0001) Interface Properties,Acta Physica Polonica A 132(2) (2017) 354-356
  • Katarzyna Lament, Wojciech Kamiński, Piotr Mazur, Stefan Zuber, Antoni Ciszewski,Molecular recognition of PTCDI–C8 molecules on the Si(1 1 0)–(16 × 2) surface,Applied Surface Science 304 (2014) 50–55
  • K. Lament, P. Mazur, S. Zuber, A. Ciszewski,PTCDI-C8 Adsorption on Si(100),Acta Physica Polonica A 124 (2013) 775-776